IBM y Samsung revolucionan el diseño de los semiconductores

diciembre 15, 2021 Desactivado Por Redacción Tecnoempresa

IBM y Samsung se aliaron para crear un nuevo chip con diseño vertical; que promete mejoras de rendimiento y en la gestión de energía para los dispositivos móviles.

La crisis de semiconductores es un problema actual que ha afectado a miles de industrias de tecnología. Sin embargo, esto no detiene a los fabricantes; en su lugar, han ideado nuevas estrategias para hacer frente a este problema e innovar en este mercado.

Hoy, IBM y Samsung anunciaron sus avances logrados en el desarrollo de un nuevo diseño para los semiconductores. Se trata de un VTFET(Vertical Transport Nanosheet field Effect Transistor). Un método que permite acomodar los transistores de forma vertical y perpendiculares a la oblea de silicio en un chip; en lugar del método plano horizontal habitual.

FinFET vs VTFET

Este diseño superaría las actuales limitaciones de la tecnología FinFET; que se utiliza para algunos de los chips más avanzados de la actualidad. De acuerdo con IBM y Samsung, en algún momento la tecnología FinFET se quedará irremediablemente sin espacio físico para alojar más transistores. Esto sucederá porque será imposible continuar reduciendo el paso de las puertas y del cableado.

De esta forma, la tecnología VTFET va a permitir que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por una pila de transistores acomodados verticalmente; en lugar de que la corriente eléctrica fluya de lado a lado como lo hace habitualmente. Así será posible que quepan también más transistores en la superficie del chip, lo que permitirá que se puedan procesar más cálculos por segundo.

Si bien, la innovación de IBM y Samsung no se verá aplicada en el corto plazo a productos de consumo masivo; ambas compañías ya aseguran que estos chips VTFET podrían ofrecer una mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de la energía; en comparación a los diseños que ofrece actualmente FinFET. Y no solo eso. La tecnología VTFET también dará lugar a baterías de dispositivos móviles que podrían durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días.

Además, al empaquetar más transistores en chips; la tecnología VTFET podría ayudar a mantener el objetivo de la ley de Moore de aumentar constantemente el recuento de transistores en el futuro.

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